《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》意見公開，氧化鋁/硅微粉/氮化鋁等在列

2023年11月14日，工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司按照首批次應用保險補償機制試點工作安排，組織修訂形成了《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》（征求意見稿）。征求意見稿中列舉了296項重點新材料，其中，包括高純氧化鋁及球形氧化鋁粉、氮化鋁粉體、陶瓷件及基板、氮化硅基板、氮化硅陶瓷軸承球、氮化硼承燒板、電子級超細高純球形二氧化硅、噴射成型耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層、陶瓷基復合材料、高性能陶瓷基板、高性能水處理用陶瓷平板膜材料、片式電阻器用電阻漿料、半導體裝備用精密陶瓷部件、電子封裝用熱沉復合材料、高容及小尺寸MLCC 用鎳內電極漿料、片阻用高精度低阻阻漿、5G 濾波器專用漿料、第三代功率半導體封裝用AMB 陶瓷覆銅基板、高可靠性封裝的金錫合金等18種先進陶瓷產業(yè)相關材料在列。

高純氧化鋁及球形氧化鋁粉

性能要求：

（1）高純氧化鋁（4N）：純度≥99.99%，比表面 3～5m2/g，D500.5～20μm；

（2）高純氧化鋁（5N）：純度≥99.999%，比表面：1.7m2/g，D50：5μm，松裝密度：0.27g/cm3，平均孔徑：10.5nm；

（3）球形氧化鋁粉：Al₂O₃≥99.7%，SiO₂≤0.03%，F(xiàn)e₂O₃≤0.03%，Na₂O≤0.02%，EC≤10μs/cm，含濕率≤0.03%，真實密度 3.85±0.1g/cm3，球化率＞90%，白度≥90；

（4）高導熱氧化鋁粉體：產品粒徑D50＞25μm，氧化鈉≤0.03%，氧化鐵≤0.08%，氧化硅≤0.08%，電導率≤60μs/cm。

氮化鋁粉體、陶瓷件及基板

性能要求：

（1）高純氮化鋁粉體：氧含量<0.8wt.%；碳含量<350ppm；鐵含量<10ppm，硅含量<50ppm，鈣含量<200ppm；比表面積 ≥2.5m2/g。

（2）氮化鋁陶瓷件：熱導率≥180W/(m·K)；抗彎強度≥350MPa；電阻率≥10¹⁴Ω·cm。

（3）高導熱氮化鋁基板：熱導率≥200W/(m·K)，抗彎強度＞300MPa。

氮化硅基板

性能要求：

熱導率≥85W/(m·K)，抗彎強度＞700MPa。

氮化硅陶瓷軸承球

性能要求：

抗彎強度≥900MPa；斷裂韌性：6～7MPa·m1/2；硬度 HV10≥1480kg/mm2；壓碎載荷比≥40%。

氮化硼承燒板

性能要求：

氮化硼含量＞99.5%；氧含量≤0.15%；密度 1.5～1.6g/cm3。

電子級超細高純球形二氧化硅

性能要求：

SiO₂＞99.9%，球化率≥99%，D50：0.3～3μm，電導率≤10μS/cm，燒失量≤0.2%。

噴射成型耐高溫耐腐蝕陶瓷涂層

性能要求：

耐溫 1200℃，硬度 HV1100，結合強度 45MPa，耐強酸強堿。

陶瓷基復合材料

性能要求：

（1）耐燒蝕 C/SiC 復合材料：密度為 2.5～3.2g/cm3，室溫拉伸強度≥150MPa，拉伸模量≥120GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，1600℃拉伸強度≥100MPa，耐溫性能≥1800℃，滿足 2MW/m2 以上熱流環(huán)境下 1000s零燒蝕或微燒蝕的要求；

（2）核電用 SiC/SiC 復合材料：密度為 2.7～2.9g/cm3，室溫拉伸強度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，1200℃拉伸強度≥200MPa，導熱系數(shù)≥20W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)（25℃～1300℃）3～5×10^-6/℃；

（3）航空用 SiC/SiC 復合材料：密度為 2.5～2.9g/cm3，室溫拉伸強度≥250MPa，拉伸模量≥150GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，1300℃拉伸強度≥200MPa，拉伸模量≥100GPa，斷裂韌性≥10MPa·m1/2，強度保持率≥80%（1300℃、120MPa 應力下氧氣環(huán)境熱處理 500 小時）。

高性能陶瓷基板

性能要求：

（1）高光反射率陶瓷基板：可見光反射率≥97%，抗彎強度≥350MPa，熱導率≥22W/(m·K)；

（2）氧化鋁陶瓷基板：抗彎強度≥700MPa，熱導率≥24W/(m·K)，體積電阻率≥10¹⁴Ω·cm。

高性能水處理用陶瓷平板膜材料

性能要求：

有效過濾面積 0.5±0.004m2，分離膜平均孔徑130～170nm，顯氣孔率 35～40%，純水通量（25℃，-40kPa）＞500LMH，彎曲強度＞30MPa，酸堿腐蝕后強度＞20MPa。

片式電阻器用電阻漿料

性能要求：

漿料阻值范圍：0.1Ω～10MΩ；漿料細度：≤5μm；電阻溫度系數(shù)：≤±200ppm/℃（阻值范圍 0.1Ω～10Ω）；≤±100ppm/℃（阻值范圍 10Ω～10MΩ）。

半導體裝備用精密陶瓷部件

性能要求：

（1）刻蝕裝備用碳化硅電極：彈性模量≥350GPa，抗彎強度≥350MPa，純度＞6N，導熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa，電阻率 0.005～80Ω·cm；

（2）刻蝕裝備用碳化硅環(huán)：彈性模量≥350GPa，抗彎強度≥350MPa，純度＞6N，導熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa；

（3）刻蝕裝備用氮化硅陶瓷部件：密度≥3.15g/cm3；熱導率（RT）≥27W/(m·K)；熱膨脹≤3.5×10^-6/K；抗彎強度≥550MPa；平均粒度≤4μm；韋伯模量≥9；關鍵尺寸精度±0.02mm；表面0.3～5μm，尺寸顆粒≤5000count/cm3，表面有機物≤0.1μg/cm2;

（4）6 寸及以上高溫擴散工序用燒結碳化硅舟：密度≥3.1g/cm3，導熱系數(shù)≥160W/(m·K)，純度≥99.9%，抗彎強度≥370MPa;

（5）6 寸及以上高溫擴散工序用 CVD 碳化硅舟：彈性模量≥350GPa，抗彎強度≥350MPa，純度＞6N，導熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa;

（6）6 寸及以上高溫擴散工序用燒結碳化硅爐管：純度≥99.96%，密度≥2.9g/cm3，抗壓強度≥350MPa；熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1;

（7）6 寸及以上高溫擴散工序用 CVD 碳化硅爐管：彈性模量≥350GPa，抗彎強度≥350MPa，純度＞6N，導熱系數(shù)≥180W/(m·K)，熱膨脹系數(shù)≤4.5×10^-6℃^-1，密度≥3.2g/cm3，硬度＞29GPa。

電子封裝用熱沉復合材料

性能要求：

（1）WCu：熔滲態(tài)密度≥11.6g/cm3，CTE 6.5～13.5ppm/K，TC 165～290W/m·K；

（2）MoCu：軋制退火態(tài)密度≥9.2g/cm3，熔滲態(tài)密度≥9.1g/cm3，CTE6.5～13.5ppm/K，TC155～210W/m·K；

（3）CMC：CTE7～10ppm/K，TC150～300W/m·K；

（4）CPC：CTE8～11.5ppm/K，TC180～300W/m·K。

高容及小尺寸MLCC 用鎳內電極漿料

性能要求：

鎳粉 0.15～0.20μm，最大粒徑≤0.5μm，固含量 55±3%，粘度 10rpm19±2Pa·s，干膜密度＞5g/cm3，熱膨脹系數(shù) 15±3%（1000～1200℃），能在厚度 3μm 以下的介質上通過絲印工藝形成精確的外觀圖形。

片阻用高精度低阻阻漿

性能要求：

金屬粉：銀鈀含量 55±10%，粘度250±50Pa·s/25℃（BROOKFIELD 粘度計，CP52 轉子，2.0PRM），細度 90%處≤5μm，第二條線≤7μm；

電性能：方阻：8～10Ω，TCR<100PPM；方阻：800～1000mΩ，TCR<100PPM；方阻：90～100mΩ，TCR<100PPM；方阻：10～20mΩ，TCR<400PPM；各相鄰方阻可以互相混配；

可靠性：短時過載、斷續(xù)過載、低溫負載、溫度快速變化、穩(wěn)態(tài)濕熱（1000h）、耐久性（155℃和-55℃下各 1000h）、雙 85 高溫高濕（1000h）：ΔR<±1%。

5G 濾波器專用漿料

性能要求：

粘度（Kcps/25℃）：10±3；含銀量（%）73.5±2.0；無機物含量（%）78.0±2.0。

第三代功率半導體封裝用 AMB 陶瓷覆銅基板

性能要求：

空洞率（C-SAM，分辨率 50μm）≤0.3%；剝離強度（N/mm）＞10；冷熱沖擊壽命（cycle）＞5000；可焊性＞95%；打線性能：剪切力≥1000gf。

高可靠性封裝的金錫合金

性能要求：

（1）用于高可靠性封裝的金錫合金預成形焊片：成分：金錫合金，Au 質量分數(shù) 78～80%；厚度≥7μm；長寬最小尺寸 0.2mm；熔化溫度（℃）：280±3；焊接空洞率：≤3%；

（2）用于先進封裝的金錫合金焊膏：焊粉成分：金錫合金，Au 質量分數(shù) 78～80%；粘度（Pa·s）：10-300；熔化溫度（℃）：280±3；焊粉粒徑：5-45μm；含氧量≤50ppm，不含鹵素；

（3）用于高可靠氣密性封裝的預置金錫蓋板：焊料成分：金錫合金，Au 質量分數(shù) 78～80%；焊料熔化溫度（℃）：280±3；蓋板鍍層：六面鍍鎳金，鍍層厚度 Ni（1.27～8.9μm）/Au（0.65-5.7μm）；耐鹽霧：≥24H。

來源：《重點新材料首批次應用示范指導目錄（2024年版）》（征求意見稿）：https://www.miit.gov.cn/gzcy/yjzj/art/2023/art_344c36506cba4039ba9aee420b98f79f.html