華為最新芯片相關(guān)專利：可搭載導(dǎo)熱硅膠提升散熱能力

近日，華為技術(shù)有限公司公開了一項(xiàng)名為“芯片、芯片的制造方法和電子設(shè)備”的發(fā)明專利，公開號為CN113113367A。

該發(fā)明實(shí)施例公開了一種芯片、芯片的制造方法和電子設(shè)備，能夠解決相關(guān)技術(shù)中靠近殼體底部的硅片產(chǎn)生的熱量難以散發(fā)出去，聚積較高的溫度，而出現(xiàn)芯片燒壞的問題。

所述一種芯片，包括殼體、多個(gè)硅片和多個(gè)導(dǎo)熱片（絕緣導(dǎo)熱片，為單晶金剛石薄膜、多晶金剛石薄膜和氮化硼薄膜中的一種或多種）。其中殼體可以包括底部、側(cè)部和上蓋，多個(gè)硅片和多個(gè)導(dǎo)熱片堆疊安裝在殼體中，例如，多個(gè)硅片和多個(gè)導(dǎo)熱片在殼體中，從底部至上蓋依次交替放置，進(jìn)而，相鄰兩個(gè)導(dǎo)熱片之間夾有硅片，相鄰兩個(gè)硅片之間夾有導(dǎo)熱片，而且導(dǎo)熱片的邊緣可以從相鄰兩個(gè)硅片之間的間隙中伸出。

基于上述結(jié)構(gòu)，硅片產(chǎn)生的熱量傳遞到與之相接觸的導(dǎo)熱片上，由于導(dǎo)熱片的導(dǎo)熱系數(shù)高于硅片的導(dǎo)熱系數(shù)，使得硅片上的熱量能夠快速傳遞到導(dǎo)熱片上，降低硅片的溫度。由于導(dǎo)熱片的邊緣可以從相鄰兩個(gè)硅片之間的間隙伸出，故導(dǎo)熱片的面積要大于硅片的面積，導(dǎo)熱片吸收的熱量可以在導(dǎo)熱片上擴(kuò)散，實(shí)現(xiàn)熱量分布的均勻化，避免熱量的聚積。

實(shí)施例還寫到：在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，相鄰兩個(gè)導(dǎo)熱片之間，以及靠近殼體上蓋的導(dǎo)熱片與上蓋之間填充由導(dǎo)熱硅膠類材料制成的導(dǎo)熱層，這樣導(dǎo)熱片能夠較快的將熱量傳遞到殼體上蓋處，通過上蓋向外散熱，進(jìn)而提升芯片的散熱能力。

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