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金戈新材推出新品:氮化硼微粉 二維碼
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發(fā)表時間:2021-07-19 09:16來源:金戈新材料 大規(guī)模天線陣列和高集成度芯片成了5G設備的標配,為了避免集成電路內部信號延遲、熱量積聚等問題,亟須開發(fā)以低介電導熱粉體為填料的高導熱界面材料。 在常見導熱絕緣粉體(AlN、BN、Si3N4、Al2O3、MgO、SiC、ZnO)中,氮化硼(BN)的介電常數(shù)(在寬頻范圍內約為4.0)和介電損耗(1.0×108 Hz時,介電損耗為2.5×10-4)均相對最低,面內導熱率高達180 W/m·K,是制備低介電、高導熱界面材料的理想填料。以下是金戈新材根據(jù)市場需求,推出的不同粒徑和形貌的氮化硼微粉:GD-S10BN、GD-S90BN、GD-S180BN、GD-S25BN。 氮化硼微粉技術指標(非標準值) 產品的粒徑分布均一,品質穩(wěn)定,可與其他粒徑、形貌、種類的導熱粉體搭配應用在高分子材料中,從而獲得高導熱的界面材料,確保5G設備安全、穩(wěn)定的運行。若對上述產品感興趣,可在下方留言或者致電0757-87572700/87572711。 金戈新材可根據(jù)您的需求提供定制化導熱阻燃解決方案。 |
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