金戈新材推出新品：氮化硼微粉

     大規(guī)模天線陣列和高集成度芯片成了5G設備的標配，為了避免集成電路內部信號延遲、熱量積聚等問題，亟須開發(fā)以低介電導熱粉體為填料的高導熱界面材料。

     在常見導熱絕緣粉體（AlN、BN、Si₃N₄、Al₂O₃、MgO、SiC、ZnO）中，氮化硼（BN）的介電常數(shù)（在寬頻范圍內約為4.0）和介電損耗（1.0×10⁸ Hz時，介電損耗為2.5×10^-4）均相對最低，面內導熱率高達180 W/m·K，是制備低介電、高導熱界面材料的理想填料。以下是金戈新材根據(jù)市場需求，推出的不同粒徑和形貌的氮化硼微粉：GD-S10BN、GD-S90BN、GD-S180BN、GD-S25BN。

氮化硼微粉技術指標(非標準值）

產品的粒徑分布均一，品質穩(wěn)定，可與其他粒徑、形貌、種類的導熱粉體搭配應用在高分子材料中，從而獲得高導熱的界面材料，確保5G設備安全、穩(wěn)定的運行。若對上述產品感興趣，可在下方留言或者致電0757-87572700/87572711。

金戈新材可根據(jù)您的需求提供定制化導熱阻燃解決方案。