大規(guī)模天線陣列和高集成度芯片成了5G設(shè)備的標(biāo)配,為了避免集成電路內(nèi)部信號(hào)延遲、熱量積聚等問(wèn)題,亟須開(kāi)發(fā)以低介電導(dǎo)熱粉體為填料的高導(dǎo)熱界面材料。 在常見(jiàn)導(dǎo)熱絕緣粉體(AlN、BN、Si3N4、Al2O3、MgO、SiC、ZnO)中,氮化硼(BN)的介電常數(shù)(在寬頻范圍內(nèi)約為4.0)和介電損耗(1.0×108 Hz時(shí),介電損耗為2.5×10-4)均相對(duì)最低,面內(nèi)導(dǎo)熱率高達(dá)180...
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